- Halbleitergebiet
- сущ.
микроэл. полупроводниковая область
Универсальный немецко-русский словарь. Академик.ру. 2011.
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RLZ — Banddiagramm eines p n Übergangs. Die Sperrschicht im p n Übergang stellt eine Raumladungszone dar Eine Raumladungszone (RLZ) (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt) ist in Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss… … Deutsch Wikipedia
Raumladungszone — Banddiagramm eines p n Übergangs. Die Sperrschicht im p n Übergang stellt eine Raumladungszone dar Eine Raumladungszone (RLZ) (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt) ist in Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss… … Deutsch Wikipedia
Verarmungszone — Banddiagramm eines p n Übergangs. Die Sperrschicht im p n Übergang stellt eine Raumladungszone dar Eine Raumladungszone (RLZ) (auch Verarmungszone oder Sperrschicht genannt) ist in Halbleitern ein Bereich, in dem sich Raumladungen mit Überschuss… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekt — Feld|effekt, Physik: 1) die Feldemission; 2) die in der Halbleiterelektronik ausgenutzte, durch ein elektrisches Feld hervorgerufene Änderung der Teilchen und Stromdichte beweglicher Ladungsträger in einem meist dünnen Halbleitergebiet… … Universal-Lexikon